詳細說(shuō)明了基本的MR和GMR讀取結構。對于MR傳感器，恒定電流穿過(guò)鎳/鐵（NiFe）合金膜，在材料中產(chǎn)生磁場(chǎng)。軟磁合金作為傳感器接近磁盤(pán)上的磁化區域，磁化區域的新磁場(chǎng)結果在NiFe中的磁場(chǎng)方向發(fā)生變化膜，產(chǎn)生電壓變化。如圖所示，該電壓磁盤(pán)磁場(chǎng)的變化是非線(xiàn)性的，并且設計一個(gè)的電子系統來(lái)解釋這些磁信號將很困難。然而，通過(guò)將層磁性軟的膜放入與NiFe MR膜接近，但分開(kāi)通過(guò)高物從它的方向iFe和NiFe中的磁化強度保持在45°附近電壓的變化是線(xiàn)性的，并且是的。標記為SAL（軟相鄰層）的結構是是當今行業(yè)大多數MR負責人的基礎。讀出放大器和數據通道設計12數據區域密度投影磁頭的演變。使用SAL MR磁頭的HDD可以使用。隨著(zhù)面密度的持續增加，MR頭終會(huì )電壓變化，導致較低的信號幅度。此下降發(fā)生在5吉比特/平方英寸附近。新的傳感器設計，GMR磁頭的電壓變化很大面密度下的信號幅度過(guò)5吉比特/英寸2。在GMR傳感器中，兩張膠片分開(kāi)通過(guò)薄的導電墊片可以提供對磁盤(pán)磁場(chǎng)的電壓變化響應。 GMR傳感器利用了電子，并遵循傳導的原理電子的自旋方向平行于電影的磁方向可以通過(guò)結構，不產(chǎn)生電壓變化。