GMR結構中的磁變量
在GMR結構中的磁取向,有一個(gè)變量磁取向由磁盤(pán)的磁場(chǎng)。當固定和固定的膠片都平行的磁取向,軟磁合金通過(guò)與反鐵磁接觸傳導電子可能穿越每部電影很長(cháng)一段距離墊片。記錄產(chǎn)生的磁場(chǎng)磁盤(pán)表面上的數據位旋轉自由膜的方向,從而電子由于頻繁移動(dòng)電子碰撞。磁取向自由NiFe膜內的波動(dòng)大GMR傳感器比MR傳感器要多信號幅度變化是原來(lái)適合高面密度。GMR磁頭現已投入生產(chǎn),可用于服務(wù)器,臺式機和移動(dòng)設備的大容量HDD計算機平臺。采用新硬盤(pán)的設計GMR負責人很可能會(huì )繼續保持60%的增加在不久的將來(lái)會(huì )導致面密度增加硬盤(pán)容量逐漸增加。性能圖6指示數據速率,速率為哪些數據寫(xiě)入和讀取轉盤(pán),隨著(zhù)時(shí)間的推移顯著(zhù)增加步伐。這是因為隨著(zhù)以及磁盤(pán)旋轉速度。今天的服務(wù)器產(chǎn)品有里面數據速率過(guò)20兆字節/秒,并且預計到2000年至少會(huì )翻一番。電子數據通道的性能將過(guò)500 MHz以允許這些非常的數據速率,需要的CMOS處理光刻線(xiàn)寬接近0.25微米數據速率的這種趨勢緊密決定了HDD通信的接口速率用電腦。高數據速率的新趨勢從數據通道到臂放大器和控制器芯片的電子設備將被合并具有的電子集成,以減少電路芯片數,從而電子產(chǎn)品價(jià)格和功耗及性能
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