影響未來(lái)設計中的新興。HDD的面密度一直在以每年的速度。磁阻和已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了磁阻傳感器來(lái)支持這種。軟磁合金這些的操作描述傳感器。進(jìn)行投影硬盤(pán)的未來(lái)性能和價(jià)格。磁性硬盤(pán)驅動(dòng)器。新頭部設計的實(shí)驗室研究和導致了1、3、5和近的11.6吉比特/平方英寸。這些的意圖調查是為了開(kāi)發(fā)頭部用于未來(lái)的產(chǎn)品，實(shí)際上是具有1.6吉比特/ in2的面密度將較高可能到2001年。圖3顯示了磁頭的演變來(lái)支持這種面密度的增加。用于讀取和寫(xiě)入的薄膜感應頭從1991年開(kāi)始由磁阻（MR）代替讀取傳感器與感應式寫(xiě)入頭相結合，在1997年，一個(gè)大磁阻（GMR）磁頭被引入以繼續這一進(jìn)展。一個(gè)實(shí)驗室演示速度為11.6吉比特/ in2使用此GMR頭設計執行。新頭設計正在出現，以提供進(jìn)一步的區域密度增加，涉及的GMR結構或已報道的隧道結裝置。數字4表示MR和GMR讀取的縮放過(guò)程自1991年以來(lái)的傳感器。這種發(fā)展涉及減少傳感器的長(cháng)度，從而增加了航跡密度的以及膜厚度的減小，這決定了位密度。每次遞減結果高的面密度并相應地高硬盤(pán)容量，這種發(fā)展有望在整個(gè)十年中一直延續到下一個(gè)。