良好的磁性材料的電阻率
Fe含量越小,電阻率越大。因此,在本發(fā)明中,將Fe含量的下限設定為45原子%,以便在實(shí)現增加的電阻率的同時(shí)保持0.5T以上的飽和磁通密度。
此外,可以看出,即使具有高的Fe含量,Hf含量小于5原子%或O含量小于10原子%也導致相當低的電阻率。表1所示的組成為Fe46.2Hf18.2O35.6的合金在熱處理之前的電阻率值為194000μΩ.cm。這表明可以從這種合金獲得約2.0×105μΩ.cm的電阻率。
在改變外部磁場(chǎng)頻率的情況下進(jìn)行磁導率(μeff)的測量。所測量的樣品是具有Fe54.9 Hf11 O34.1組成的合金膜,鋁硅鐵合金膜和Co基非晶帶,將它們在旋轉磁場(chǎng)中在400℃的溫度下進(jìn)行熱處理6小時(shí)。測量結果示于圖2中。 7.在圖。在圖7中,用實(shí)線(xiàn)表示Fe54.9Hf11O34.1合金膜,用虛線(xiàn)表示硅鐵合金膜,用點(diǎn)劃線(xiàn)表示Co基非晶質(zhì)薄帶。
在鐵硅鋁硅酸鹽薄膜和Co基非晶帶中,頻率越高,磁導率越低。相反,在本實(shí)施方式的軟磁性合金中,Fe 54.9 Hf 11 O 34.1的組成為高即使在高頻范圍內也能保持導磁率,因此提供了用于高頻范圍的良好的磁性材料。
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