軟磁合金磁性膜的飽和磁通密度（Bs）和矯頑力（Hc）在使用之前退火通過(guò)VSM測量。此外，通過(guò)四端子法測量合金磁性膜的電阻率（ρ）。

隨后，通過(guò)VSM測量熱處理之后的合金磁性膜的飽和磁通密度和矯頑力。此外，通過(guò)四端子法測量合金磁性膜的電阻率。展示出了組成為Fe69.8Sm11.0O19.2的合金膜的飽和磁通密度，矯頑力和電阻率的測量結果。在圖在圖1中，飽和磁通密度由（-。小圓圈-。小圓圈-）表示，矯頑力由（-。圓圈-固體-。圓圈-固體）表示，并且電阻率由（-Δ-Δ-）。同樣，示出了組成為Fe68.5Ho11.5O20.0的合金膜的飽和磁通密度（Bs），矯頑力（Hc）和電阻率（ρ）的測量結果。在圖在圖2中，飽和磁通密度由（-。小圓圈-。小圓圈-）表示，矯頑力由（-。圓圈-固體-。圓圈-固體）表示，并且電阻率由（-Δ-Δ-）。

       從中可以看出，具有Fe69.8 Sm11.0 O19.2組成的本發(fā)明合金膜具有12.1 kG的高飽和磁通密度，15 Oe的低矯頑力和610μΩ.cm的高電阻率因此，表明良好的軟磁性能，并且從圖5可以看出。由圖2可知，本發(fā)明的具有Fe68.5Ho11.5O20.0組成的合金膜的飽和磁通密度較低，為8.9kG，矯頑力較低，為6.50Oe。其比電阻1800μΩ.cm。