成分對磁通密度的影響
在軟磁合金中,Fe是提供磁性的主要成分。為了獲得高飽和磁通密度,期望Fe含量盡可能大。然而,Fe含量為70原子%或較高將導致相當低的電阻率。另一方面,Fe含量低于本發(fā)明的Fe含量范圍的下限,盡管會(huì )獲得高的電阻率,但會(huì )導致相當低的飽和磁通密度。
用符號M表示的稀土元素(以下元素之一:屬于元素周期表第3A組的Sc和Y,以及鑭系元素,包括La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu Gd,Td,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu等)和符號M'表示的元素(屬于元素周期表第4A,5A和6A組的元素之一,例如Ti) Zr,Hf,V,Nb,Ta和W)對于獲得軟磁性能較為重要。這些元素容易與氧氣結合形成氧化物。通過(guò)調節這種氧化物的含量,可以實(shí)現電阻率的增加。
利用本發(fā)明的組成范圍,可以獲得400至2.0×105μΩ.cm的高電阻率。通過(guò)獲得高的電阻率,可以減少由渦電流引起的損耗,可以高頻范圍內的磁導率的減少,并且可以實(shí)現高頻特性的增加。應當指出的是,Hf被認為具有磁致伸縮的能力。通過(guò)在30020至600℃的溫度下對合金膜進(jìn)行退火,可以合金膜的內應力而獲得較好的軟磁性能。
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